Nedávno jsem vyrobil dal?í impulzní zdroj, tentokrát 14,5V 0,4A. Lze ho pou?ít prakticky kdekoliv. Já ho pou?ívám
pro napájení budících obvod? pro polom?stky s MOSFETy a IGBT.
Zdroj je velmi podobny p?edchozímu zdroji 3,4V 2,5A.
Proto nebudu znovu popisovat podrobny princip ?innosti. Napětí zdroje lze upravit v rozmezí asi 8 - 18V změnou odporu R1.
Transformátor je navinut na feritové jádro EE nebo EI s pr??ezem st?edního sloupku
0,7cm2 (7 x 10mm). Nejd?íve se navine polovina primárních závit?, tedy 27.
Drát má pr?měr asi 0,15 - 0,2mm.
Na něm je alespoň 8 vrstev izola?ní pásky. Potom se vine sekundár. Vzhledem
k nízkému po?tu závit? je mo?né pou?ít i izolovany drát, co? p?ispívá k bezpe?nosti.
Potom následuje opět 8 vrstev izola?ní pásky. Dále se vine pomocné vinutí
4 závity, lze pou?ít stejny drát jako na primár. Potom opět izola?ní vrstva,
která v?ak nemusí byt tak silná. Nakonec se navine zbylych 27 závit? primáru.
Potom opět několik vrstev izolace. Mezi poloviny jádra se vlo?í jedna vrstva
izola?ní pásky nebo 2 vrstvy papíru, aby se vytvo?ila mezera cca 0,2mm zabraňující jeho p?esycení.
Nakonec se jádro zalepí nap?. vte?inovym lepidlem.
Deska plo?ného spoje musí byt uspo?ádána tak, aby sí?ová a oddělená ?ást byli
od sebe dostate?ně daleko. Zdroj spolehlivě pracuje v rozsahu napájecího napětí 80...250Vst nebo 80...350Vss.
