English version

ISSTC III. - Jednoduchy ISSTC na malé napětí

     Cílem experimentu bylo vytvo?it velmi jednoduchy p?eru?ovany tranzistorovy Tesl?v transformátor s vyboji, za které se nebude muset stydět :). Nakonec vzniklo toto ISSTC (p?eru?ované SSTC) ?ízené obvodem UC3844. Obvod zaji??uje jak oscilaci na rezonan?ní frekvenci sekundáru, tak i p?eru?ování. P?eru?ování je zaji?těno pomocí jeho UVLO s hysterezí. C3 se v?dy nabíjí na do 16V, poté se obvod IO1 zapne a chvíli kmitá a ?ídí T1. Proto?e spot?eba IO1 je vět?í, ne? proud R1, tak se C3 postupně vybíjí a? k 10V, kdy IO1 vypne. C3 se opět nabíjí a cyklus se opakuje. Zajímavostí tohoto TC je, ?e je jednotranzistorovy. Pou?il jsem v něm sekundár (vinutí III.) s pr?měrem 108mm a délkou 375mm drátem pr?měru 0,2mm. Rezonance bez kapacity je 204kHz, rezonance se dvěma plechovkami navrchu je cca 150-160kHz. Odpor drátu je cca 300R. Obvod UC3844 (zde je jeho datasheet) a zde jiny datasheet je obdobou známého UC3842, ale jeho st?ída je omezena do 50% tím, ?e log 1 na vystupu je povolena pouze ka?dou druhou periodu oscilátoru. Pracovní frekvence se nastavuje pomocí P1 do rezonance. Rozsah ladění je s uvedenymi sou?ástkami asi 100-200kHz. Lze ho změnit vyměnou P1, R2 a C6. P?eru?ovací frekvenci lze ovlivnit změnou C3. St?ídu p?eru?ování i frekvenci zároveň ovlivňuje R1. S R1 = 15k a C3 = 10uF je frekvence cca 40Hz, se 100uF je 4Hz. T1 je vykonovy mosfet nap?. IRFP260, IXFH50N20 nebo podobny 200V MOSFET typu N s Rds(on) pod 55mR a stejnymi nebo lep?ími parametry. ?ím men?í odpor Rds(on), tím lépe. D1 je libovolná ultrarychlá dioda nad 200V, 8A a nejlépe pod 50ns. T1 a D1 musí byt dimenzovány na více ne? 2x napájecí napětí (v praxi cca 3x a víc). Obvod lze upravit i pro jiné napětí změnou po?tu závit? I. a II., hodnoty R1, C1, C7 a p?ípadně pou?itím jinych T1 a D1. Tranzistor T1 i dioda D1 jsou na chladi?i. Vět?inu tepelné ztráty tvo?í T1. Primár je dvojity kv?li rekuperaci. Ta je nutná, proto?e se jedná o jedno?inny obvod. Je vytvo?en ze t?í?ilového silnoproudého kabelu. Hlavní vinutí I. je tvo?eno dvěma paralelně spojenymi ?ilami a pomocné vinutí II. je tvo?eno t?etí ?ilou. Primár je vinut na izola?ní trubce, má pr?měr 14cm a je umístěn cca 5cm nad za?átkem sekundáru (vy?e by ji? hrozily p?eskoky mezi primárem a sekundárem). C7 je pulzní kondenzátor, ktery zaji??uje odstranění rozptylu mezi vinutími I. a II., co? je nutné pro ochranu T1 p?ed ?pi?kami. Vyboje do vzduchu jsou 16 cm, do uzemněnych elektrod 20cm. Obvod se napájí ze stejnosměrného zdroje do 60V (relativně bezpe?né napětí). Odběr je cca 1,5A a p?íkon tedy cca 90W. P?eru?ování umo?ňuje dlouhé vyboje p?i relativně malém p?íkonu.

     !!! POZOR!!! Tesl?v transformátor je extrémně nebezpe?né za?ízení! Bez znalosti zásad práce s vysokym napětím byste jej neměli konstruovat. Tesl?v transformátor zp?sobuje ?irokopásmové ru?ení radiovych vln. Elektromagnetické vyza?ování m??e po?kodit elektronické p?ístroje nebo pamě?ová média. P?i provozu vzniká ozón (O3) a dal?í jedovaté plyny, nutno větrat! V?e děláte na vlastní nebezpe?í! Za p?ípadné újmy neberu ?ádnou zodpovědnost.

schéma ISSTC III - jednoduchého tranzistorového Teslova transformátoru s p?eru?ova?em
schéma zapojení ISSTC III. - jednoduchého tranzistorového Teslova transformátoru s p?eru?ova?em na malé napětí


Deska ISSTC III.


SSTC III - primár, sekundár a zakon?ovací kapacita


Vyboje do vzduchu s hrotem


?árovka jako plazma koule a experiment s dlouho závěrkou (4Hz).





Fla?ka


Dlouhá závěrka, 40Hz.


Video - Testování ISSTC III.


Video 2 - ISSTC III. jako UFO :)



P?idáno: 26. 9. 2011
zpět na úvodní stránku
手机捕鱼游戏