English version

Umělá zátě? pro napájecí zdroje - elektronicky odpor

     Pokud testujete r?zné napájecí zdroje (impulzní i klasické), jistě se vám bude hodit zátě?, její? odběr je mo?né plynule regulovat. M??ete s ní p?esně zjistit, p?i jakém proudu za?ne r?st zvlnění, klesat vystupní napětí ?i vypne elektronická pojistka.
     Moje umělá zátě? je velmi jednoduchá. K p?eměně odebírané energie na teplo slou?í tranzistor MOSFET-N. Odebírany proud se reguluje změnou napětí na gejtu pomocí potenciometru. Aby nastaveny proud nebyl závisly na vstupním napětí, je napětí potenciometru stabilizováno Zenerovou diodou. Aby bylo mo?né testovat i zdroje s malym vystupním napětím, je vhodné pou?ívat tzv. logic-MOSFET, neboli MOSFET ovladatelny logickou úrovní. Ten má ni??í prahové napětí gejtu a umo?ní testovat zdroje s napětím od cca 4V. Pro logic-MOSFET je vhodná Zenerova dioda ZD okolo 4.3V, pro bě?ny MOSFET cca 7.5V. Tranzistor musí byt na velkém chladi?i, odpovídajícím maximálnímu ztrátovému vykonu. Pro krátkodobé testování m??e posta?it men?í chladi?. Moje elektronická zátě? funguje v rozmezí vstupního napětí cca 4 - 28V. Logické MOSFETy mají obvykle na maximální napětí D-S 30V. Nikdy nep?ekra?ujte maximální dovolené napětí tranzistoru. S pou?itím vhodného MOSFETu lze umělou zátě? postavit i pro vy??í napětí. V tom p?ípadě zvy?te hodnotu ochranného odporu R1. Pozor - umělá zátě? se m??e silně zah?ívat! Riziko po?áru! Nenechávejte ji v provozu bez dozoru. Pro vět?í bezpe?nost je mo?né p?idat proudovou a tepelnou pojistku.

Schéma umělé zátě?e
Schéma regulovatelné umělé zátě?e


Obrazec desky DPS a osazovací plánek, ktery podle mého schématu vytvo?il Temsi (tímto mu děkuji). Zde jsou soubory pro sta?ení: obrazec desky pro tisk v PDF a osazovací plánek v Eaglu.

umělá zátě? - primitivní konstrukce
Regulovatelná umělá zátě? - primitivní konstrukce bez DPS :)

umělá zátě?
Regulovatelná umělá zátě? s knoflíkem.




zpět na hlavní stránku
手机捕鱼游戏